Кремниевые подложки, предназначенны для использования в лабораториях органической электроники в качестве подложек для полевых транзисторов, ГИС, а также для других приложений, включая рентгеновские исследования, анализ поверхностной микроскопии и измерения эллипсометрии.
| Параметр |
Ед. измерения
|
Значение
|
| Температура плавления | oC | 1467 |
| Плотность | г/см3 | 2,65 |
| Твердость по Моосу | 7 | |
| Теплопроводность (при 25oC) | Вт/(м·К) |
10,7 (паралелльно оси Z) 6.2 (перпендикулярно оси Z) |
| Удельная теплоемкость (25°C ) | Дж/Кг∙°К |
4.34 (паралелльно оси Z) 4.27 (перпендикулярно оси Z) |
| Модуль сдвига (G) | ГПа | 31,14 |
| Массовый модуль (К) | ГПа | 36,4 |
| Упругие коэффициенты | C11=87; C12=7; C44=58; C13=13; C14=18; C33=106 |
